Технология получения особочистого оксида гафния для применения в микроэлектронике, специальной технике - ВНИИХТ
Технологии

Название технологии

Технология получения особочистого оксида гафния для применения в микроэлектронике, специальной технике

Продукт, получаемый при применении технологии

ОСЧ оксид гафния с содержанием примесей не более 5 ppm

Способ правовой защиты прав на объекты интеллектуальной собственности, составляющие технологию

  • Патент на изобретение №2416493 Способ получения порошков редких металлов, Федоров В.Д., Аржаткина Л.А., Аржаткина О.А., Никитина Е.В. 15.12.2009г.
  • 3 Заявки на изобретения
  • 3 Ноу-хау

Область применения технологии

В микроэлектроники и специальной технике. Использование ОСЧ оксида гафния позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз при рекордных рабочих характеристиках транзисторов, обеспечив прорыв в будущее поколение полупроводниковых приборов военного и гражданского назначения. Технология получения ОСЧ оксида гафния за рубежом является предметом коммерческой тайны. В России отсутствует как технология, так и производство ОСЧ оксида гафния.

Степень готовности

Технология опробована в лабораторном масштабе.